一次離子可能受到樣品表面的背散射，也有部分進(jìn)入樣品表面，這部分離子把能量傳遞給晶格，當(dāng)入射能量大于晶格對(duì)原子的束縛能是，部分原子脫離晶格向表面運(yùn)動(dòng)，并且產(chǎn)生原子間的級(jí)聯(lián)碰撞，當(dāng)這一能量傳遞到表面，并且大于表面的束縛能時(shí)，飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀促使表面原子脫離樣品，在高速旋轉(zhuǎn)的加工頭與被加工工件表面之間加上含有微細(xì)磨粒的研磨液，并產(chǎn)生一定的壓力。通過高速旋轉(zhuǎn)的加工頭所產(chǎn)生的高速氣流及離心力，使磨粒沖擊或擦過工件表面，產(chǎn)生彈性破壞物質(zhì)的原子結(jié)合，從而往除工件表面的材料。它可使材料內(nèi)部不產(chǎn)生錯(cuò)位和缺陷，從而實(shí)現(xiàn)原子級(jí)加工。并可獲得非常優(yōu)良的表面。

 

    利用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀影像可以觀察試片表面所含有之元素，由適當(dāng)?shù)目v面元素之分析，可以了解污染之深度。經(jīng)擴(kuò)散及離子，結(jié)合離子布植技術(shù)在IC或其他半導(dǎo)元件之應(yīng)用?；旧习凑掌湓谧匀唤绲呢S度比出現(xiàn)在質(zhì)譜中，這對(duì)于利用質(zhì)譜確定化合物及碎片的元素組成有很大方便, 還可利用穩(wěn)定同位素合成標(biāo)記化合物，氘等標(biāo)記化合物，再用質(zhì)譜法檢出這些化合物，在質(zhì)譜圖外貌上無變化，只是質(zhì)量數(shù)的位移，從而說明化合物結(jié)構(gòu)，反應(yīng)歷程等?？梢栽诰€獲得樣品中更多的信息，保留了微區(qū)分析的特點(diǎn)，沒有基體效應(yīng)。其特點(diǎn)有：分隔的真空腔體有利于濺射中性粒子的收集和離子化；中性粒子的離子化可以使用電子轟擊，熱電離，激光共振等成熟的離子化技術(shù)，質(zhì)量分析器可以使用小型的四極桿或者飛行時(shí)間質(zhì)量分析器，基于電場(chǎng)的獨(dú)立小型質(zhì)量分析器有利于減小儀器體積和縮短分析時(shí)間。